Indiumantimonid

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP), ggf. erweitert
07 – Achtung 09 – Umweltgefährlich
Gefahr
H- und P-Sätze H:
  • Gesundheitsschädlich bei Verschlucken.
  • Gesundheitsschädlich bei Einatmen.
  • Giftig für Wasserorganismen, mit langfristiger Wirkung
P:
  • Einatmen von Staub / Rauch / Gas / Nebel / Dampf / Aerosol vermeiden.
  • Nach Gebrauch … gründlich waschen. (Die vom Gesetzgeber offen gelassene Einfügung ist vom Inverkehrbringer zu ergänzen)
  • Freisetzung in die Umwelt vermeiden.
  • Bei Verschlucken: Mund ausspülen. Kein Erbrechen herbeiführen.
  • Verschüttete Mengen aufnehmen.
  • Inhalt / Behälter … zuführen. (Die vom Gesetzgeber offen gelassene Einfügung ist vom Inverkehrbringer zu ergänzen)
MAK

0,5 mg/m3 (Sb). 0,1 mg/m3 (In)

Indiumantimonid (InSb) ist eine chemische Verbindung aus Indium (In) und Antimon (Sb). Es zählt zu den III-V-Halbleitern.

Kristallstruktur
Sphalerite polyhedra.png
__ In3+     __ Sb3−
Allgemeines
Name Indiumantimonid
Verhältnisformel InSb
Kurzbeschreibung silbergrauer, geruchloser Feststoff
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 1312-41-0
EG-Nummer 215-192-3
ECHA-InfoCard 100.013.812
PubChem 3468413
ChemSpider 2709929
Eigenschaften
Molare Masse 236,6 g/mol
Aggregatzustand

fest

Dichte 5,75 g/cm3
Schmelzpunkt 535 °C (Zersetzung)
Löslichkeit nahezu unlöslich in Wasser

Eigenschaften

Indiumantimonid

Undotiertes Indiumantimonid weist bei Raumtemperatur die größte Elektronenbeweglichkeit von 78.000 cm2/(V·s) von allen bekannten Halbleitern auf, wodurch sich auch die (im Vergleich zu anderen Materialien) extrem hohe Hall-Konstante von −2,4·10−4 m3/C erklärt. Es eignet sich besonders gut zur Herstellung von sehr schnellen elektronischen Schaltern.

Außerdem wird Indiumantimonid in der Optoelektronik als Werkstoff für Infrarotsensoren benutzt, vor allem bei Wellenlängen von 1000 nm bis 5500 nm.

Halbleiterbauelemente aus Indiumantimonid weisen eine Diffusionsspannung unter 0,5 V auf, was geringere Betriebsspannungen und damit geringere Verlustleistungen als Silicium mit 0,7 V ermöglicht.

Gewinnung und Darstellung

Indiumantimonid bildet sich beim Zusammenschmelzen der beiden hochreinen Elemente:

{\mathrm  {In\ +\ Sb\longrightarrow \ InSb}}

Verwendung

Eine Schicht von Indiumantimonid zwischen Aluminiumindiumantimonid kann als Quantentopf dienen. Daraus lassen sich sehr schnell schaltende Transistoren bauen. Bipolartransistoren lassen sich damit bis zu einer Grenzfrequenz von 85 GHz und Feldeffekttransistoren bis zu 200 GHz betreiben. Die Firmen Intel und QinetiQ entwickeln zusammen auf Indiumantimonid basierende Feldeffekttransistoren, deren Entwicklung derzeit (2010) nicht abgeschlossen ist.

Seit den 1950er Jahren dient es als Detektormaterial in Infrarotempfängern für militärische Anwendungen. So zum Beispiel in der amerikanischen AIM-9 Sidewinder Rakete.

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Basierend auf einem Artikel in: Wikipedia.de
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Datum der letzten Änderung: Jena, den: 05.09. 2021