Indiumnitrid

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung
keine GHS-Piktogramme
H- und P-Sätze H: keine H-Sätze
P: keine P-Sätze

Indiumnitrid (InN) ist eine anorganische chemische Verbindung des Indiums aus der Gruppe der Nitride.

Gewinnung und Darstellung

Indiumnitrid kann durch Reaktion von Ammoniumhexafluoroindat mit Ammoniak bei 580 bis 600 °C gewonnen werden.

{\displaystyle \mathrm {(NH_{4})_{3}InF_{6}+4\ NH_{3}\longrightarrow InN+6\ NH_{4}F} }
Kristallstruktur
Struktur von Indiumnitrid
__ In3+     __ N3−
Allgemeines
Name Indiumnitrid
Andere Namen
  • Indium(III)-nitrid
  • Indiumstickstoff
Verhältnisformel InN
CAS-Nummer Extern 25617-98-5
EG-Nummer 247-130-6
ECHA-InfoCard Extern 100.042.831
PubChem Extern 117560
Kurzbeschreibung schwarzer Feststoff
Eigenschaften
Molare Masse 128,83 g/mol
Aggregatzustand fest
Dichte 6,89 g/cm3
Schmelzpunkt 1100 °C

Eigenschaften

Indiumnitrid ist ein schwarzer, luftbeständiger Feststoff. Er wird von Natronlauge und von konzentrierter Schwefelsäure aufgelöst, von den anderen Mineralsäuren dagegen nicht. Er besitzt eine Kristallstruktur vom Wurtzit-Typ (a = 353,3 pm, c = 569,3 pm). Die Verbindung ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium und Stickstoff gebildet ist. Potenzielle zukünftige Anwendungen dieses Werkstoffes liegen in Kombinationen mit Galliumnitrid im Bereich von Solarzellen.

Der temperaturabhängige Bandabstand von InN beträgt bei 300 K ca. 0,7 eV und liegt im infraroten Spektralbereich. Indiumnitrid bildet mit Galliumnitrid den ternären Verbindungshalbleiter Indiumgalliumnitrid, dessen Bandlücke im Herstellungsprozess durch das Verhältnis der beiden Komponenten über einen sehr weiten Bereich von 0,7 bis 3,4 eV wählbar ist.

Dünne polykristalline Strukturen von Indiumnitrid zeigen bei Temperaturen unter Tc=3,3 K supraleitende Eigenschaften, die auch unter dem Einfluss von hohen magnetischen Flussdichten bestehen bleiben.

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Datum der letzten Änderung: Jena, den: 07.04. 2024