Majoritätsladungsträger

Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Majoritätsladungsträger die Defektelektronen (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die Elektronen.

Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen, dass bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren beziehungsweise Akzeptoren ionisiert sind (Störstellenerschöpfung). Dies führt im Fall einer Einfach-Dotierung (nur eine Dotierungsart vorhanden) deutlich größer der Eigenleitungsdichte ( {\displaystyle N_{\mathrm {A} }^{-}\gg n_{\mathrm {i} }} bzw. {\displaystyle N_{\mathrm {D} }^{+}\gg n_{\mathrm {i} }}) des Halbleiters zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration der p (der Defektelektronen) bzw. n (der Elektronen) im

mit der Eigenleitungsdichte n_{\mathrm {i} }, den Konzentrationen der ionisierten Donator- {\displaystyle N_{\mathrm {D} }^{+}} und Akzeptoratome {\displaystyle N_{\mathrm {A} }^{-}} sowie der Konzentration aller (geladenen und neutralen) Donatoren N_{{\mathrm  {D}}} und Akzeptoren N_{\mathrm {A} }.

Literatur

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Datum der letzten Änderung: Jena, den: 28.03. 2021