T-Gedächtniszelle

Vereinfachtes Schema der Vorgänge bei der primären Immunantwort

T-Gedächtniszellen oder Gedächtnis-T-Zellen sind eine Subpopulation (Untergruppe) der T-Lymphozyten (T-Zellen). Sie haben die Funktion eines immunologischen Gedächtnisses und verbessern den Schutz eines Individuums bei einer erneuten Infektion (Reinfektion) mit demselben Pathogen (Krankheitserreger). Als ehemalige T-Helferzellen (TH1 oder TH2) haben die Gedächtniszellen die spezifische, einmal erworbene Immunantwort gespeichert. Wenn der Organismus wieder mit demselben Antigen konfrontiert wird, lösen die T-Gedächtniszellen eine schnelle und effektive Immunreaktion aus. Teilweise wandeln sie sich dann erneut in T-Helferzellen um.[1][2][3]

Geschichte

Die Existenz von Gedächtniszellen konnte durch epidemiologische Beobachtungen bei einer Masernepidemie im 19. Jahrhundert auf den Färöer-Inseln angenommen werden. Damals fand man nach einmaliger Virus-Exposition und offensichtlich fehlender erneuter Exposition in der dazwischenliegenden Zeit noch nach 30 und mehr Jahren einen Schutz vor Neuerkrankung bei den ursprünglich an Masern erkrankten Bewohnern.[4]

Eigenschaften

Nach Stimulation des adaptiven Immunsystems durch ein Antigen erfolgt eine 10- bis 100fache Vermehrung der spezifischen T-Zellen. Von diesen können einige bei erneutem Kontakt mit dem gleichen Antigen eine schnellere und effizientere Sekundärantwort vermitteln. Diese Erinnerungsfunktion kann durch CD4-positive und durch CD8-positive-T-Gedächtniszellen übernommen werden.

Die aus naiven T-Zellen durch Differenzierung entstandenen Effektorzellen – ausdifferenzierte Lymphozyten mit spezifischen Aufgaben im Rahmen der Immunantwort – die meist nur eine kurze Lebenszeit haben und nach einer Immunantwort durch einen aktivierungs-induzierten Zelltod (engl. activation-induced cell death, AICD – programmierter Zelltod nach Aktivierung von T-Zellen und B-Zellen) absterben. An diesem Programm sind verschiedene Mechanismen beteiligt, unter anderem die Bereitstellung von Fas-vermittelten Signalen (CD95), intrazelluläre pro-apoptotischen Moleküle und der Verlust an Wachstumsfaktoren.

Von diesem programmierten Zelltod der während der spezifischen Immunantwort gebildeten T-Gedächtniszellen werden weniger als 5 % aller Effektorzellen ausgenommen. Die zellulären und molekularen Einflüsse, die darüber bestimmen, dass sich infolge einer Aktivierung naive T-Zellen zum einen in kurzlebige Effektorzellen und zum anderen in langlebige Gedächtniszellen differenzieren, sind nur in Ansätzen bekannt. Folgende Modelle zur Differenzierung von T-Gedächtniszellen werden diskutiert:

Typen

Wie bei naiven T-Zellen unterscheidet man bei den Gedächtnis-T-Zellen CD4- beziehungsweise CD8-positive Zellen. Darüber hinaus unterscheidet man innerhalb dieser zwei Typen mindestens zwei funktionell unterschiedliche Gruppen. Dies sind zum einen Effektor-Gedächtnis-T-Zellen (engl. effector memory T cells, TEM) und zum anderen zentrale Gedächtnis-T-Zellen (engl. central memory T cells, TCM). Beide Gruppen können sowohl bei CD4- als auch bei CD8-positiven Gedächtnis-T-Zellen vorkommen. Die Effektor-Gedächtnis-T-Zellen werden bei erneutem Antigenkontakt reaktiviert und stellen durch mehrere Teilungen viele funktionsfähige Effektorzellen bereit. Die zentralen Gedächtnis-T-Zellen ruhen dagegen in den Sekundären Lymphatischen Organen und haben zunächst keine Effektorfunktion am Infektionsherd. Allerdings können sie leicht aktiviert werden um sich zu Effektor-Zellen zu entwickeln, sobald das Antigen erneut auftritt. Die Arbeitsteilung zwischen Effektor-Gedächtnis-T-Zellen und zentralen Gedächtnis-T-Zellen besitzt ähnliche Züge wie die zwischen Plasma-Zellen und Gedächtnis-B-Zellen.[5]

Literatur

Einzelnachweise

  1. R. D. Michalek, J. C. Rathmell: The metabolic life and times of a T-cell. In: Immunol Rev. (2010), Band 236, S. 190–202. Extern PMID 20636818; Extern PMC 2983473 (freier Volltext).
  2. K. K. McKinstry, T. M. Strutt, S. L. Swain: Hallmarks of CD4 T cell immunity against influenza. In: J Intern Med. (2011), Band 269(5), S. 507–518. Extern doi:10.1111/j.1365-2796.2011.02367.x. Extern PMID 21362069; Extern PMC 3395075 (freier Volltext).
  3. R. Arens, S. P. Schoenberger: Plasticity in programming of effector and memory CD8 T-cell formation. In: Immunol Rev. (2010), Band 235(1), S. 190–205. Extern PMID 20536564; Extern PMC 2937176 (freier Volltext).
  4. Haven Emerson: Panum on Measles: Observations Made During the Epidemic of Measles on the Faroe Islands in the Year 1846. In: Am J Public Health Nations Health. 1940, Band 30, Nummer 10, S. 1245–1246. (Übersetzung eines Artikel von Peter Ludwig Panum von 1938 aus dem Dänischen) Extern PMC 1530953 (freier Volltext)
  5. Hochspringen nach: a b c Federica Sallusto, Jens Geginat, Antonio Lanzavecchia: Central Memory and Effector Memory T cell Substets: Function, Generation, and Maintenance. In: Annu Rev Immunol. (2004). Band 22, S. 745–763.
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Basierend auf einem Artikel in: Extern Wikipedia.de
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Datum der letzten Änderung: Jena, den: 01.03. 2025